自贡彩灯制作大多使用LED驱动，其电源设计中应注意的五点。

在制作自贡彩灯中LED驱动电源的设计不难，但是你一定要心中有数。

自贡彩灯公司认为只要做好调试前的计算，调试中的测量，调试后的老化，相信谁都可以做好LED。

1.LED电流。大家都知道，LEDripple过大，会影响LED的寿命。影响有多大？没有专家说过。之前问过LED厂这个数据，他们说30%以内可以接受，后来没有验证。越小越好。如果散热没有解决好，LED必须降额。也希望有专家能给出一个具体的指标，否则会影响LED的推广。

2.自贡彩灯公司认为芯片发热主要针对内置功率调制器的高压驱动芯片。如果芯片消耗的电流是2MA，给芯片施加300V的电压，芯片的功耗是0.6W，当然会导致芯片发热。芯片的驱动电流来自驱动功率mos晶体管的消耗。简单计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻收益，实际I=2cvf，其中C为功率MOS晶体管的cgs电容，V为功率晶体管导通时的栅极电压。所以为了降低芯片的功耗，一定要想办法降低C、V、F，如果C、V、F不能改变，那么请想办法把芯片的功耗划分到片外器件，注意不要引入额外的功耗。考虑散热更好就更简单了。

3.功率管很热，我在论坛上看到有人贴过。电子管的功耗分为两部分，开关损耗和传导损耗。需要注意的是，在大多数场组合中，开关损伤远大于传导损耗，尤其是在LED商用驱动应用中。开关损耗与功率管的cgd和cgs有关，也与芯片的驱动能力和工作频率有关。所以要解决功率管的发热，可以从以下几个方面来解决:a .不能单方面根据导通电阻来选择MOS功率管因为内阻越小，cgs和cgd的电容越大。比如1N60的cgs大概250pF，2N60大概350pF，5N60大概1200pF。差别太大了。在选择功率管的时候，足够了。b，剩下的就是频率和芯片驱动能力。这里只说频率的影响。和频率传导损耗也是成正比的，所以功率管发热的时候，首先你要想想频率选择是不是有点高。尽量降低频率！但需要注意的是，当频率降低时，为了获得相同的负载能力，峰值电流必然会增大或者电感也会增大，这可能会导致电感进入饱和区。如果电感的饱和电流足够大，可以考虑将CCM(连续电流模式)改为DCM(不连续电流模式)，这样就需要增加一个负载电容。

4.工作频率降频这也是用户在调试过程中常见的现象。频率降低主要是两个方面造成的。输入电压与负载电压之比小，系统干扰大。对于前者，

注意不要将负载电压设置得太高。虽然负载电压高，但是效率也会高。对于后者，可以从以下几个方面尝试:A、将Z小电流设置到更小的点；b .清洁布线，尤其是sense的关键路径；c、选择小电感点或闭合磁路的电感；d、加入RC低通滤波。这个影响有点不好，C的一致性不好，偏差有点大，但是对于灯光来说应该足够了。无论怎么降频，都只有坏处，必须解决。

5.电感还是变压器的选择终于到了关键点。我还没开始，只能瞎说饱和度的影响。很多用户反应，同样的驱动电路，A产生的电感没有问题，B产生的电感电流变小了。这种情况下，请看电感电流波形。有些工程师没有注意到这种现象，直接调整感应电阻或工作频率来达到所需的电流，可能会严重影响LED的使用寿命。因此，在设计之前，合理的计算是必要的。如果理论计算参数与调试参数相差一点，就要考虑是否降频，变压器是否饱和。当变压器饱和时，L会变小，导致传输延迟引起的峰值电流增量急剧增加，然后LED的峰值电流也会增加。在平均电流不变的前提下，只能眼睁睁地看着光线暗淡下去。

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